LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對3G和LTE基站市場的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種，但LDMOS功率放大器的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少，在不超過約，而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求，但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應用中，它可實現高集成化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。在毫米波應用上，GaN的高功率密度特性在實現相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發通道數及整體方案的尺寸。實現性能成本的優化組合。隨著5G時代的到來，小基站及MassiveMIMO的飛速發展，會對集成度要求越來越高，GaN自有的先天優勢會加速功率器件集成化的進程。5G會帶動GaN這一產業的飛速發展。然而，在移動終端領域GaN射頻器件尚未開始規模應用，原因在于較高的生產成本和供電電壓。GaN將在高功率，高頻率射頻市場發揮重要作用。GaN射頻PA有望成為5G基站主流技術預測未來大部分6GHz以下宏網絡單元應用都將采用GaN器件，小基站GaAs優勢更明顯。就電信市場而言，得益于5G網絡應用的日益臨近。輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術指標的要求。浙江短波射頻功率放大器檢測技術

    射頻功率放大器的關閉狀態的電阻值即射頻功率放大器自身的電阻值；檢測到射頻功率放大器開啟時，其匹配電阻生效，射頻功率放大器的開啟狀態的電阻值即匹配電阻的電阻值。匹配電阻跟射頻功率放大器可以連接，將射頻功率放大器的控制端接入匹配電阻的控制端；匹配電阻跟射頻功率放大器也可以不連接，直接將匹配電阻設置在射頻功率放大器的內部。其中，射頻功率放大器的狀態對應的電阻值存儲在移動終端的存儲器，計算出射頻功率放大器的電阻值后，可根據存儲器存儲的對應關系得知射頻功率放大器的狀態。102、計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。例如，預先將射頻功率放大器的輸出端同步連接到射頻功率放大器檢測模塊，在移動終端進行頻段切換時，通過計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，從而獲取此時射頻功率放大器的狀態。每個射頻功率放大器對應連接一個射頻功率放大器檢測模塊。其中，設置一個計算電阻r0，計算電阻r0的一端與電源電壓vdd相連，計算電阻r0的另一端與射頻功率放大器的一端相連，多個射頻功率放大器并聯，射頻功率放大器的另一端與接地端相連，計算電阻r0與射頻功率放大器的連接之間設置處理器。其中。浙江短波射頻功率放大器檢測技術微波功率放大器(PA)是微波通信系統、廣播電視發射、雷達、導航系統的部件之一。

    氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠實現比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達300伏，可工作在更高的工作電壓，簡化了設計寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經開始普遍應用在EMC領域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射頻微波功率放大器的分類放大器有不同種的分類方法，習慣上基于放大器件在一個完整的信號擺動周期中工作的時間量，也就是導電角的不同進行分類，通過對放大器件配置不同的偏置條件，就可以使放大器工作在不同的狀態。在EMC領域，固態放大器中常用到的偏置方法是A類，AB類和C類。A類放大器A類放大器的有源器件在輸入正弦信號的整個周期內都導通，普遍認為，A類和線性放大器是同義詞，輸出信號是對輸入信號的線性放大，在無線通信應用領域必須要考慮到針對復雜調制信號時的情況。在EMC應用領域，輸入信號相對簡單，放大器必須工作在功率壓縮閾值的情況下。A類放大器是EMC領域常用的功率放大器，其工作原理圖如圖4所示。圖4：A類放大器的工作原理圖不管是否有射頻輸入信號存在，A類放大器的偏置設置使得晶體管的靜態工作點位于器件電流的中心位置。

    第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路包括：電容；所述電容的端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述子濾波電路還包括：電感；所述電感串聯在所述電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述第二子濾波電路包括：第二電容；所述第二電容的端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接，第二端接地。可選的，所述第二子濾波電路還包括：第二電感；所述第二電感串聯在所述第二電容的第二端與地之間。可選的，所述輸入端匹配濾波電路還包括：寄生電容；所述寄生電容耦接在所述功率放大單元的輸出端與所述功率放大單元的第二輸出端之間?？蛇x的，所述輸出端匹配濾波電路包括第三子濾波電路；所述第三子濾波電路的端與所述輔次級線圈的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第三子濾波電路包括：第三電容；所述第三電容的端與所述輔次級線圈的第二端耦接，第二端接地?？蛇x的，所述第三子濾波電路還包括：第三電感；所述第三電感串聯在所述第三電容的第二端與地之間?？蛇x的，所述輸出端匹配濾波電路還包括第四子濾波電路；所述第四子匹配濾波電路的端與所述主次級線圈的第二端耦接。傳統線性功率放大器有高的增益和線性度但效率低，而開關型功率放大器有高的效率和輸出功率，但線性度差。

    用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例中，通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅動放大電路、功率放大電路等電路對輸入信號進行處理，實現射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換，電路結構簡單，能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖1b為本發明實施例提供的相關技術中射頻功率放大器電路的電路結構示意圖；圖2a為本發明實施例提供的射頻功率放大器電路的組成結構示意圖；圖2b為本發明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意圖圖3為本發明實施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖4為本發明實施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖5a為本發明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖5b為本發明實施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖6為本發明實施例提供的反饋電路的示意圖；圖7為本發明實施例提供的偏置電路的示意圖；圖8為本發明實施例提供的可控衰減電路的等效示意圖；圖9為本發明實施例提供的可控衰減電路的的示意圖。微波固態功率放大器的電路設計應盡可能合理簡化。浙江短波射頻功率放大器檢測技術

放大器能把輸入信號的電壓或功率放大的裝置，由電子管或晶體管、電源變壓器和其他電器元件組成。浙江短波射頻功率放大器檢測技術

    橫坐標為輸出功率pout，曲線41對應自適應動態偏置電路提供給共柵放大器的柵極偏置電壓，曲線42對應自適應動態偏置電路提供給共源放大器的柵極偏置電壓。圖5示例性地示出了本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器對應的imd3(thirdorderintermodulation，三階互調)曲線圖51，以及現有的射頻功率放大器對應的imd3曲線圖52，根據曲線51和曲線52，可以看出本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器的imd3得到了提高(增幅為△imd3)，橫坐標為輸出功率pout。顯然，上述實施例是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本申請創造的保護范圍之中。浙江短波射頻功率放大器檢測技術

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