國外生長的YAP單晶已達到50毫米，長約150毫米，重約1380克。隨著生長技術的提高，中科院上海光學力學研究所已經能夠生長出直徑為50 mm的大單晶，但形狀控制和質量有待進一步提高。比較了不同價離子摻雜對Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結果表明，二價離子摻雜對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響，而四價離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對Ce: YAP晶體性能的影響。發現YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉移過程，Ce和Mn: YAP的衰變時間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。CeYAP晶體，摻鈰YAP晶體兼有高光輸出和快衰減時間的閃爍特征。廣東高溫CeYAP晶體材料

無機閃爍晶體的性能表征？電子元器件是構成電子信息系統的基本功能單元，是各種電子元件、器件、模塊、部件、組件的統稱，同時還涵蓋與上述電子元器件結構與性能密切相關的封裝外殼、電子功能材料等。回顧過去一年國內激光晶體，閃爍晶體，光學晶體，光學元件及生產加工產業運行情況，上半年市場低迷、部分外資企業產線轉移、中小企業經營困難，開工不足等都是顯而易見的消極影響。但隨著激光晶體，閃爍晶體，光學晶體，光學元件及生產加工產業受到相關部門高度重視、下游企業與元器件產業的黏性增強、下游 5G 產業發展前景明朗等利好因素的驅使下，我國電子元器件行業下半年形勢逐漸好轉。廣東高溫CeYAP晶體材料1991年，Baryshevky等人用水平區熔法生長了Ce:YAP閃爍晶體。

Ca2+離子和Si4+離子摻雜對Ce : YAP晶體有哪些影響？釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優良的激光基質材料和光學襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性，指出Ce:YAG晶體具有優異的閃爍特性。Ce:YAG衰減快(80ns)，在530nm處發出熒光，其發射波長與硅光電二極管的探測敏感區相匹配，因此可應用于低能射線粒子的探測等領域。

摻鈰鋁酸釔(Ce: YAP)和釔鋁石榴石(Ce: YAG)高溫閃爍晶體不jin具有高光輸出和快速衰減的閃爍特性(表1-5)，而且具有優異的物理化學性能(表1-6)。它們具有密度低、有效原子序數小的缺點，但可以廣泛應用于中低能射線和粒子探測領域。Ce: YAP和Ce: YAG是兩種典型的高光輸出、快速衰減的高溫無機閃爍晶體，已經在許多場合得到應用。對它們的生長特性、晶體缺陷和光學閃爍性能的研究，對其他鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體的研究和探索具有重要的參考意義。開中頻電源升溫至原料全部熔化，在此過程中打開晶轉，以使爐內溫度分布均勻。

YAP晶體屬于扭曲鈣鈦礦結構的正交晶系，可視為晶格常數A=5.328，B=7.367，C=5.178的Al-O 八面體，所有頂點共享而成的三維結構，其結構如圖1-7所示。一個YAP原細胞中有四個YAP分子，晶體中有兩種可以置換的陽離子位置：一種是扭曲的YO12多面00置(y3半徑ry=1.02)；另一個接近理想的八面00置(ral=0.53)。Ce3離子的半徑為1.03，取代了YAP中具有C1h對稱性的Y3離子。由于失真，實際配位數相當于8。該體系中有三種穩定的化合物：(1) y3al5o12 (YAG)，摩爾比為1)y2 O3al2o 3=:5；(2)摩爾比為2:1的單斜化合物y4al 2o 9(YAM)；(3)摩爾比為1:1的氧化釔(YAP)。YAP是一種均勻熔化的化合物，從熔點到室溫沒有相變。1995年，Tetsuhiko等人總結并重新研究了Ce:YAP晶體的光學特性。廣東高溫CeYAP晶體材料

CeYAP晶體具有較高的能量分辨率。廣東高溫CeYAP晶體材料

同濃度Ce: YAP的熒光光譜。在可見光(300納米)激發下，不同濃度Ce: YAP的熒光強度隨著濃度的增加而增加，直到0.5at%。當濃度為1.0at%時，濃度淬滅，發光強度開始降低。相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶體在X射線激發下的發光強度隨著濃度的增加先增大后減小，峰值位置也有紅移，其中0.3at%處的發光強度比較高。自吸收對光致發光幾乎沒有影響，因為激發和發射過程都發生在樣品表面。在高能射線的激發下，經過多次電離過程，晶體內部產生大量的電子-空穴對，電子-空穴對將能量傳遞到發光中心，發光過程基本發生在晶體內部。廣東高溫CeYAP晶體材料

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