如何區分MOSFET是N溝道還是P溝道？場效應晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的簡稱，它是現代電子產品的基本組成部分。MOSFET由諸如硅的半導體材料制成，半導體在導體和絕緣體之間具有導電性。為了使半導體成為良好的導體，會在純晶體中引入兩種類型的雜質，如果雜質是五價的，則所得的半導體為n型。在n型電子中，大多數電荷載流子。如果雜質是三價的，那么所得的半導體是p型的。在p型孔中，大多數電荷載流子。MOSFET有兩種類型：增強型和耗盡型，這兩種類型都進一步分為：N通道和P通道。漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉移特性。廣東功率MOSFET

DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。只考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中，這種情況會變得更加復雜。選擇FET時需要考慮的因素包括額定電壓、環境溫度、開關頻率、控制器驅動能力和散熱組件面積。關鍵問題是，如果功耗過高且散熱不足，則FET可能會過熱起火。我們可以利用封裝/散熱組件ThetaJA或者熱敏電阻、FET功耗和環境溫度估算某個FET的結溫。廣東功率MOSFETMOSFET電壓和電流的選擇，額定電壓越大，器件的成本就越高。

MOSFET知識介紹：Eoss，輸出容能量，表示輸出電容Coss在MOSFET存儲的能量大小。由于MOSFET的輸出電容Coss有非常明顯的非線性特性，隨Vds電壓的變化而變化。所以如果datasheet提供了這個參數，對于評估MOSFET的開關損耗很有幫助。并非所有的MOSFET手冊中都會提供這個參數，事實上大部分datasheet并不提供。Body Diode di/dt 體二極管的電流變化率，它反應了MOSFET體二極管的反向恢復特性。因為二極管是雙極型器件，它受到電荷存儲的影響，當二極管反向偏置時，PN結儲存的電荷必須清理。

MOSFET的重要部位：金屬—氧化層—半導體電容，金屬—氧化層—半導體結構MOSFET在結構上以一個金屬—氧化層—半導體的電容為重要，氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶硅。這樣子的結構正好等于一個電容器（capacitor），氧化層扮演電容器中介電質（dielectric material）的角色，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數（dielectric constant）來決定。柵極多晶硅與基極的硅則成為MOS電容的兩個端點。MOSFET的特點有哪些？

MOSFET有什么應用優勢？1、場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管。2、有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。3、場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而雙極結型晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。4、場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣闊的應用。由于MOSFET元件的性能逐漸提升，除了傳統上應用于諸如微處理器、微控制器等數位信號處理的場合上，也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現。常用于MOSFET的電路符號有很多種變化。廣東功率MOSFET

MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”。廣東功率MOSFET

場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而雙極結型晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。因此被稱之為雙極型器件。4、場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了 的應用。MOSFET在1960年由貝爾實驗室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla 實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克萊（William Shockley）等人發明的雙載流子結型晶體管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因為制造成本低廉與使用面積較小、高整合度的優勢，在大型集成電路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成電路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的領域里，重要性遠超過BJT。廣東功率MOSFET

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