在40k，由在X-ray激發的純CsI晶體的能量效率為30%；然而，它的發光效率在室溫下非常低，這就是為什么純CsI晶體難以用于閃爍過程的原因。堿土金屬氟化物，如氟化鈣、氟化鍶等。在室溫下，激子發光仍然保持高產率。在這種情況下，我們可以討論Vk中心在上述反應中亞穩態的作用。因此，離子晶體表現出一種非常有趣的性質，即純晶體或沒有發光中心的晶體可以產生有效的發光。這是因為在輻照過程中，晶體中會產生大量的Vk發光中心。在維克激子發光后，VK中心消失了，水晶恢復了原來的屬性。晶體吸收高能射線后，晶體內部產生大量的熱化電子空穴對。福建大尺寸CeYAP晶體研發

YAP晶體的生長過程：生長氣氛：由于采用中頻加熱方式，主要保溫材料為高熔點絕熱氧化物(氧化鋯、氧化鋁等)。)，雖然爐內充滿高純氬氣體，但整個直拉法體系仍保持弱氧化，使Ce4離子含量增加。研究表明，Ce4離子對Ce3離子發光有猝滅作用。因此，在生長過程中，我們通常在惰性氣氛中生長，并試圖在弱還原氣氛中生長，其中惰性氣氛是高純氬氣體，弱還原氣氛是高純氬和高純氫的混合氣體(2-10%氫氣)。 不同氣氛生長Ce: YAP晶體Ce3+ 濃度有什么不同？福建大尺寸CeYAP晶體研發CeYAP晶體具有優良的閃爍性能，其主要特點是光產額大，衰減時間短。

有人計算過YAP晶體的能帶結構[77，78]。結果表明，該氧化物晶體的價帶頂端由未結合的O2-離子組成，而價帶he心主要由O2-離子的2S能級和Y3離子的4P能級的混合物組成。導帶底部主要由Y3離子的4d和5S軌道組成，而Al3的3d能級在導帶中占據較高的能級位置。YAP晶體的禁帶寬度為7.9 eV，主要由Y-O相互作用決定，而不是Al-O相互作用。文獻[26]中也報道了YAP晶體的帶隙為8.02 eV。由于YAP晶體結構的各向異性，很難獲得高質量的晶體，但由于其廣闊的應用前景，人們對YAP晶體的生長過程做了大量的探索和研究。

品質優的CeYAP晶體注意事項：研究了Ce:YAP晶體的自吸收機制。在實際應用中，國產Ce: YAP晶體存在嚴重的自吸收問題，直接影響晶體的發光效率。比較了鈰離子濃度、退火、輻照和雜質對鈰： YAP晶體自吸收的影響。通過分析Ce: YAP晶體的自吸收機制，發現在YAP中存在一個Ce4離子的寬帶電荷轉移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。結果表明，還原Ce4離子可以被Ce: YAP晶體的自吸收，Ce4離子可以明顯猝滅Ce3離子的發光。作為未摻雜晶體的ceF3具有本征發光，而另一方面，以Ce為基質的晶體和以Ce為摻雜劑的晶體表現出與Ce3相同的5d4f躍遷發光。無機閃爍體中主要電子躍遷和發光中心的分類。作為劑量計材料可在較高溫度環境下使用，CeYAP有可能發展成為具有特殊應用的輻射劑量計材料。

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征，是無機閃爍晶體的一個重要發展方向，而Ce:YAP和Ce:YAG是其中較有優勢的晶體。隨著應用需求的變化，對閃爍晶體尺寸的要求也在不斷增加，生長大尺寸的閃爍晶體變得更為重要。同時國內目前生長的Ce:YAP 晶體普遍存在自吸收問題，導致光產額一直無法有效提高，且其機理至今仍不清楚。為了有效提高Ce:YAP 晶體的閃爍性能，解決其自吸收問題，提高晶體的發光強度，著重研究了Ce:YAP 晶體的自吸收機理。同時為了得到大尺寸高發光效率的Ce:YAG晶體，用溫梯法嘗試了大尺寸Ce:YAG晶體的生長，并對晶體的比較好熱處理條件進行了摸索。本論文主要圍繞大尺寸Ce:YAP晶體的生長及其自吸收問題，和溫梯法大尺寸Ce:YAG晶體的生長和退火研究，以真正提高晶體的實用性能。 1995年，Tetsuhiko等人總結并重新研究了Ce:YAP晶體的光學特性。福建大尺寸CeYAP晶體研發

CeYAP晶體在對閃爍晶體CeYAP的研究過程中 ，發現了YAP晶體的變色現象。福建大尺寸CeYAP晶體研發

一般來說，閃爍體可以分為有機閃爍體(如萘和蒽)和無機閃爍體。Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人(1980)和R. Autrata等人(1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測的研究。1991年，Baryshevky等人用水平區熔法生長了Ce:YAP閃爍晶體，然后研究了不同方法生長的Ce:YAP晶體的光學和閃爍性質。1995年，Tetsuhiko等人總結并重新研究了Ce:YAP晶體的光學特性。此后，大量文獻報道了Ce:YAP晶體的閃爍性質和應用，并對其閃爍機理進行了大量深入的研究工作。由于Ce:YAP高溫閃爍晶體具有優異的閃爍性能和獨特的物理化學性質，因此Ce:YAP高溫閃爍晶體可廣泛應用于相機、動物PET、SEM等檢測領域。福建大尺寸CeYAP晶體研發

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