文章中心ARTICLE CENTER
在發展中求生存,不斷完善,以良好信譽和科學的管理促進企業迅速發展產品中心
PRODUCT CATEGORY相關文章
RELATED ARTICLES
詳細介紹
在這里單結晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管模塊沒有導通時,張弛振蕩器的電容器C被電源充電,UC按指數規律上升到峰點電壓UP時,單結晶體管VT導通,在VS導通期間,負載RL上有交流電壓和電流,與此同時,導通的VS兩端電壓降很小,迫使張弛振蕩器停止工作。當交流電壓過零瞬間,晶閘管VS被迫關斷,張弛振蕩器得電,又開始給電容器C充電,重復以上過程。這樣,每次交流電壓過零后,張弛振蕩器發出個觸發脈沖的時刻都相同,這個時刻取決于RP的阻值和C的電容量。調節RP的阻值,就可以改變電容器C的充電時間,也就改變了個Ug發出的時刻,相應地改變了晶閘管的控制角,使負載RL上輸出電壓的平均值發生變化,達到調壓的目的。雙向晶閘管模塊的T1和T2不能互換。否則會損壞管子和相關的控制電路。淄博正高電氣受行業客戶的好評,值得信賴。甘肅單向晶閘管調壓模塊廠家

可控硅模塊給我們的生活與工作帶來了很多便利,可以長期在五直流極性條件下工作,瞬時反向電壓一般不會孫華可控硅模塊,但是還是需要注意一下。下面來看看可控硅模塊電流異常的處理辦法。實際應用可控硅模塊中并不一定總有直流偏置電壓,非極性鉭電容器也能制造,但價格較貴,而且貯藏后不一定用,如果兩個相同的可控硅模塊背靠背地串聯,就可以得到非極性電容,總的電容量為每個串聯電容的一半,即C/2。一個性能良好的可控硅模塊在接通電源的瞬間,萬用表的表針應有較大擺幅,可控硅模塊的容量越大,其表針的擺幅也越大,擺動后,表針能逐漸返回零位,假如可控硅模塊在電源接通的瞬間,萬用表的指針不擺動,則說明可控硅模塊失效或斷路;若表針一直指示電源電壓而不作擺動,表明可控硅模塊已被擊穿短路;若表針擺動正常,但不返回零位,說明電容器有漏電現象。以上就是可控硅模塊電流出現異常的解決方法,大家進行實際的操作運行,在實際的應用過程中可以方便大家的使用,并且提高工作的效率。甘肅單向晶閘管調壓模塊廠家淄博正高電氣運用高科技,不斷創新為企業經營發展的宗旨。

晶閘管G、K之間是一個PN結〔圖2(a)〕,相當于一個二極管,G為正極、K為負極,所以,按照測試二極管的方法,找出三個極中的兩個極,測它的正、反向電阻,電阻小時,萬用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管模塊的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關S,按一下按鈕開關SB,燈泡發光就是好的,不發光就是壞的。四、晶閘管模塊在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管模塊基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構成可控整流電路。現在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug,VS仍然不能導通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發脈沖Ug時,晶閘管被觸發導通。現在,畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早,晶閘管模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間,就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。
可控硅智能調壓模塊安裝的步驟可控硅智能調壓模塊的在電氣行業中的應用非常廣,它的優勢也有很多,在使用的過程中我們要注意安裝、使用、和維護,下面正高就來說說可控硅智能調壓模塊的安裝步驟是什么?1、安裝方式:可控硅智能調壓模塊壁掛式垂直安裝,電源為上進下出。接線時各銅端子上要雜物,擰緊螺釘,否則會造成端子發熱而導致損壞。2、可控硅智能調壓模塊的三相交流電路的進線R、S、T無相序要求,導線粗細按實際使用電流選擇。3、“L”和“N”線只為可控硅智能調壓模塊內部控制電源用,用1平方細導線即可,與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設計。“L”端可接到任一路相線上,“N”端必須接三相零線。“L”和“N”不能調換。4、U、V、W輸出端可接380Vac△形負載或者220VacY形負載(無須接N線)。5、若可控硅智能調壓模塊的三相負載平衡,負載中心零線可接可不接。若三相負載不平衡,負載中心零線必須接,否則將導致輸出電壓有偏差。6、過流保護:在使用過程中若發生過流現象,應首先檢查負載有無短路等故障。可在可控硅模塊的進線R、S、T端之前安裝快速熔斷器,規格可按實際負載電流的。以上就是可控硅智能調壓模塊的安裝步驟,希望對您有所幫助。淄博正高電氣以發展求壯大,就一定會贏得更好的明天。

可控硅模塊已經眾所周知了,跟多人都見過,但是您對于它了解多少呢,比如說挑選方法、應用領域、操作方法等等,現在正高就來詳細說說這幾項。1、可控硅模塊標準的挑選辦法考慮到可控硅模塊商品一般都對錯正弦電流,存在導通角的疑問而且負載電流有必定的波動性和不穩定要素,且可控硅芯片抗電流沖擊才華較差,在挑選模塊電流標準時有必要留出必定余量。推薦挑選辦法可依照以下公式核算:I>K×I負載×U較大∕U實習K:安全系數,阻性負載K=,理性負載K=2;I負載:負載流過的較大電流;U實習:負載上的較小電壓;U較大:模塊能輸出的較大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的,單相整流模塊為輸入電壓的,其他標準均為);I:需求挑選模塊的較小電流,模塊標稱的電流有必要大于該值。模塊散熱條件的好壞直接關系到商品的運用壽數和短時過載才華,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在運用中有必要裝備散熱器和風機,主張選用帶有過熱維護功用的商品,有水冷散熱條件的優先挑選水冷散熱。咱們經過嚴肅測算,斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型,推薦選用廠家配套的散熱器和風機,用戶自備時按以下準則挑選:1、軸流風機的風速應大于6m/s。淄博正高電氣始終以適應和促進工業發展為宗旨。甘肅單向晶閘管調壓模塊廠家
淄博正高電氣擁有先進的產品生產設備,雄厚的技術力量。甘肅單向晶閘管調壓模塊廠家
怎么區分可控硅模塊的損壞緣由當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時,可把管芯從冷卻套中取出,翻開芯盒再取出芯片,調查其損壞后的痕跡,以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其方位在遠離操控極上。電壓擊穿。可控硅因不能接受電壓而損壞,其芯片中有一個光亮的小孔,有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣,而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發生在芯片外圓倒角處,有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。甘肅單向晶閘管調壓模塊廠家
淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經濟發達、文化底蘊深厚的淄博市臨淄區,是專業從事電力電子產品、及其相關產品的開發、生產、銷售及服務為一體的高科技企業。主要生產各類規格型號的晶閘管智能模塊、固態繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發板、控制板等產品,并可根據用戶需求進行產品設計加工。近年來,本公司堅持以人為本,始終立足于科技的前沿,狠抓產品質量,產品銷往全國各地,深受用戶的好評。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發展的腳步,在社會各界及客戶的大力支持下,生機勃發,春意盎然。面向未來,前程似錦,豪情滿懷。今后,我們將進一步優化產品品質,堅持科技創新,一切為用戶著想,以前列的服務為社會奉獻高、精、尖的優良產品,不斷改進、不斷提高是我們不變的追求,用戶滿意是我們追求的方向。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來我公司參觀指導,恰談業務!
產品咨詢