MOSFET計算系統的散熱要求，設計人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實情況。建議采用針對較壞情況的計算結果，因為這 個結果提供更大的安全余量，能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及較 大的結溫。開關損耗其實也是一個很重要的指標。導通瞬間的電壓電流乘積相當大，一定程度上決定了器件的開關性能。不過，如果系統對開關性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。MOSFET應用優勢：有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。山東平面MOSFET

常用于MOSFET的電路符號有很多種變化， 常見的設計是以一條直線 通道，兩條和通道垂直的線 源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線 柵極，如下圖所示。有時也會將 通道的直線以破折線代替，以區分增強型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗盡型MOSFET（depletion mode MOSFET）另外又分為NMOSFET和PMOSFET兩種類型，電路符號如圖所示（箭頭的方向不同）。由于集成電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（ 此元件的通道為P型）山東平面MOSFETMOSFET的使用應該注意什么事項？

MOSFET的注意事項有哪些？應該注意什么？MOSFET電壓和電流的選擇，額定電壓越大，器件的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或 總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS.設計工程 師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備（如電機或變壓器）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源 為20~30V、85~220VAC應用為450~600V。

由于MOSFET是對稱的，所以源極或漏極可以互換。因此，源極端子和基板端子在內部連接，所以MOSFET具有三個端子，而且它們處于相同的電位，這就阻止了任何電流從襯底流向源極。在MOSFET中，我們希望電流從漏極流到源極，因此，我們必須在漏極和源極之間連接一個電池，該電壓稱為Vds，因為它介于漏極和源極之間。電池的正極增加了漏極端子處的電勢，從而增加了漏極和基板之間的耗盡區，因此不會有電流從漏極流到源極，這時候MOSFET處于截止狀態，這也稱為截止區域?，F在，要使電流從漏極流到源極，必須在它們之間建立一個通道。為了創建通道，我們又在柵極和襯底之間連接了一個小電壓源。電池正端與柵極相連，該電壓稱為Vgs，因為它介于柵極和源極之間，襯底是p型半導體，因此，電荷載流子是空穴，但是存在一些自由電子作為少數電荷載流子。電池在基板內部產生電場，由于該場襯底中的電子與電場相反地流動，即流向柵極，由于存在絕緣體，這些電子無法從基板流向柵極，因此它們聚集在襯底中的柵極附近。MOSFET中的絕緣體或電介質不單會阻擋電子，還會增加電子上的電荷，從而吸引更多的電子。MOSFET的重點參數有：金屬—氧化層—半導體電容。

隨著MOSFET技術的不斷演進，現在的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代傳統的多晶硅電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶硅—絕緣體—多晶硅電容（PIP capacitor），甚至在適當的電路控制下可以表現出電感（inductor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，MOSFET除了扮演原本晶體管的角色外，也可以用來作為模擬電路中大量使用的被動元件（passive device）。這樣的優點讓采用MOSFET實現模擬電路不但可以滿足規格上的需求，還可以有效縮小芯片的面積，降低生產成本。Vgs，柵源極較大驅動電壓，這是MOSFET的一個極限參數。山東平面MOSFET

數字電路對MOSFET的幫助：使得MOSFET操作速度越來越快，成為各種半導體主動元件中較快的一種。山東平面MOSFET

功率MOSFET按垂直導電結構的差異，又分為利用V型槽實現垂直導電的VVMOSFET和具有垂直導電雙擴散MOS結構的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），功率MOSFET為多元集成結構，MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區（對應于GTR的截止區）；飽和區（對應于GTR的放大區）；非飽和區（對應于GTR的飽和區）。電力MOSFET工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。山東平面MOSFET

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