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更新時(shí)間:2025-12-16
簡(jiǎn)要描述: 使得在所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個(gè)印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸,并且與所述熱

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使得在所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個(gè)印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸,并且與所述熱接口材料層熱耦聯(lián)。圖5是移除了雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件的印刷電路裝配件的圖。圖6是印刷電路裝配件的圖,包括已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200并且包括已附接的分流管。圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖8a和圖8b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于內(nèi)部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖9示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的流程。附圖是非詳盡的,并且不限制本公開至所公開的精確形式。具體實(shí)施方式諸如雙列直插式存儲(chǔ)模塊(dimm)的集成電路產(chǎn)生大量的熱量,特別是在高密度配置中。現(xiàn)有許多技術(shù)對(duì)集成電路進(jìn)行冷卻,但是存在許多與這些現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的缺點(diǎn)??諝饫鋮s是嘈雜的,并且因此當(dāng)靠近辦公室人員/在工作環(huán)境中布置時(shí)是不期望的。當(dāng)需要維護(hù)雙列直插式存儲(chǔ)模塊時(shí),液體浸入式冷卻是雜亂的。另一種方法使用將雙列直插式存儲(chǔ)模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件,所述散熱器熱耦聯(lián)至循環(huán)制冷液體的冷卻管。所公開的實(shí)施例以兩個(gè)系統(tǒng)板為一對(duì)。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收,歡迎新老客戶來(lái)電!吉林收購(gòu)電子元器件回收中心
分類器電路80接收反映關(guān)于參考分類的信息的一參考電壓vc。通過(guò)人工比較一預(yù)設(shè)電壓vt和實(shí)際電壓vout來(lái)獲取參考分類。預(yù)設(shè)電壓vt的微分決定信號(hào)dout于規(guī)范中規(guī)定的預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。隨后,分類器電路80通過(guò)比較預(yù)設(shè)電壓vt和實(shí)際電壓vout來(lái)產(chǎn)生反映關(guān)于不成熟分類的信息的電壓vl。在訓(xùn)練階段312中,分類器電路80基于不成熟分類和參考分類將預(yù)設(shè)電壓vt更新為一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓。經(jīng)學(xué)習(xí)電壓包括神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)32的經(jīng)加權(quán)值。mlc42基于經(jīng)學(xué)習(xí)電壓調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率。在推理/分類階段314中,分類器電路80基于經(jīng)學(xué)習(xí)電壓產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率的預(yù)測(cè)。圖10是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的圖9的測(cè)量電路60的電路圖。參照?qǐng)D10,測(cè)量電路60包括取樣保持(s/h)電路600和602,以及一減法器604。s/h電路600經(jīng)配置以對(duì)信號(hào)dout的一電壓v1進(jìn)行取樣。在一些實(shí)施例中,s/h電路600包括一開關(guān)、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實(shí)施例中,s/h電路600包括任何已知的s/h電路。s/h電路602經(jīng)配置以對(duì)信號(hào)dout的一第二電壓v2進(jìn)行取樣。在一些實(shí)施例中,s/h電路602包括一開關(guān)、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實(shí)施例中,s/h電路602包括任何已知的s/h電路。吉林收購(gòu)電子元器件回收中心上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司。
本發(fā)明涉及不具有驅(qū)動(dòng)晶體管(即,存取晶體管)的存儲(chǔ)單元(例如,mram單元)。而且,存儲(chǔ)單元包括調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置,該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中,本發(fā)明涉及集成芯片。集成芯片包括連接至位線的工作磁隧道結(jié)(mtj)器件,工作mtj器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài);以及連接在工作mtj器件和字線之間的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置,調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置包括被配置為控制提供給工作mtj器件的電流的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中,一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件分別包括固定層、介電阻擋層和通過(guò)介電阻擋層與固定層分隔開的自由層。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置還包括連接在第二字線和工作mtj器件之間的第二調(diào)節(jié)mtj器件,字線和第二字線連接至字線解碼器。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)mtj器件具有比第二調(diào)節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實(shí)施例中,調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置還包括連接在第二位線和工作mtj器件之間的第二調(diào)節(jié)mtj器件,字線連接至字線解碼器,并且位線和第二位線連接至位線解碼器。在一些實(shí)施例中,工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中,集成芯片還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實(shí)施例中。
所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸。所述多條金屬線形成在柵極層上方的導(dǎo)電層中,其中,所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸。6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu),其中,n是正整數(shù),并且多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。根據(jù)示例實(shí)施例,一種制造集成電路的方法,所述方法包括:在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中形成多條柵極線,所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸;以及在柵極層上方的導(dǎo)電層中形成多條金屬線,所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸,使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu),其中,n是正整數(shù),并且多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。根據(jù)示例實(shí)施例,一種設(shè)計(jì)集成電路的方法包括:接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù);設(shè)置包括多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù);基于輸入數(shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)執(zhí)行布局和布線;以及基于布局和布線的結(jié)果生成定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)。所述集成電路包括:半導(dǎo)體基底,多條柵極線,形成在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中,所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸,以及多條金屬線,形成在柵極層上方的導(dǎo)電層中。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收,有想法可以來(lái)我司咨詢!
但這個(gè)發(fā)展速度也是非常驚人的。集成電路是一門高科技,它促進(jìn)了很多門學(xué)科的發(fā)展,包括自動(dòng)化、裝備生產(chǎn)、精密儀器、微細(xì)加工等產(chǎn)業(yè)。1美金的芯片所能帶動(dòng)的GDP相當(dāng)于100美金,而全世界一年的芯片產(chǎn)值所撬動(dòng)的GDP,相當(dāng)于中國(guó)和美國(guó)的GDP之和,而且,這個(gè)產(chǎn)業(yè)對(duì)我們國(guó)家的信息安全具有非常重要的作用。中國(guó)的芯片市場(chǎng)占了全世界的,是世界上大的芯片需求市場(chǎng),但自給率卻不到10%。從2008年開始,我國(guó)的集成電路進(jìn)口占據(jù)了進(jìn)口商品中大的一部分,甚至超過(guò)了石油和糧食。目前,我國(guó)集成電路生產(chǎn)技術(shù)還比較落后,面臨著巨大的挑戰(zhàn)。首先,為了降低成本,我們要盡量在單位面積上制造出更多的晶體管,縮小電路板面積。其次,努力提高集成電路的運(yùn)算速度,這關(guān)乎我們所使用的電腦、手機(jī)的運(yùn)算速度。第三,要保證產(chǎn)品性能穩(wěn)定,保證足夠的成品率,避免漏電太大,影響手機(jī)等電子設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。第四,我們的新興產(chǎn)品要盡快進(jìn)入市場(chǎng),這樣才能保證產(chǎn)品有足夠的盈利空間,保證充足的資金繼續(xù)做下一代研發(fā)。半導(dǎo)體、晶體管和集成電路技術(shù),通過(guò)微型化、自動(dòng)化、計(jì)算機(jī)化和機(jī)器人化,將從根本上改變?nèi)祟惖纳罘绞?。微電子技術(shù)的奧秘。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收,有需求可以來(lái)電咨詢!吉林收購(gòu)電子元器件回收中心
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其中形成線路圖案的至少一個(gè)導(dǎo)電層可以插入在柵極層gtl與列導(dǎo)電層ccl之間,和/或至少一個(gè)導(dǎo)電層可以設(shè)置在列導(dǎo)電層ccl上方。在一些示例實(shí)施例中,集成電路還可以包括形成在柵極層gtl與列導(dǎo)電層ccl之間的行導(dǎo)電層中的多條行金屬線,使得行金屬線布置在第二方向y上并且在方向x上延伸。在柵極層gtl上方依次設(shè)置的導(dǎo)電層可以稱為m1層、m2層、m3層、m4層等。行導(dǎo)電層可以對(duì)應(yīng)于m1層或m2層,列導(dǎo)電層ccl可以對(duì)應(yīng)于m2層或m3層。圖4a至圖4i是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的用于制造集成電路的圖案化工藝的示圖。可以參照?qǐng)D4a至圖4i描述與單圖案化、sadp和saqp相關(guān)聯(lián)的單元線路結(jié)構(gòu)的節(jié)距。參照?qǐng)D4a至圖4i描述心軸間隔件圖案化(themandrelspacerpatterning)作為示例,但是示例實(shí)施例不限于特定的圖案化工藝。在本公開中,單圖案化、sadp和saqp定義如下。單圖案化或直接圖案化表示形成與光刻工藝中的曝光圖案具有相同的平均節(jié)距的目標(biāo)圖案。這里,目標(biāo)圖案包括根據(jù)示例實(shí)施例的單元線路結(jié)構(gòu)中所包含的柵極線和列金屬線。sadp表示形成具有與所述曝光圖案的1/2平均節(jié)距對(duì)應(yīng)的平均節(jié)距的目標(biāo)圖案。saqp表示形成具有與所述曝光圖案的1/4平均節(jié)距對(duì)應(yīng)的平均節(jié)距的目標(biāo)圖案。參照?qǐng)D4a。吉林收購(gòu)電子元器件回收中心
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