文章中心ARTICLE CENTER
在發(fā)展中求生存,不斷完善,以良好信譽(yù)和科學(xué)的管理促進(jìn)企業(yè)迅速發(fā)展
首頁-浙江大規(guī)模鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化





更新時間:2025-12-16
簡要描述: (2)、增強(qiáng)體SiC與基體鋁浸潤性差的問題:增強(qiáng)材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關(guān)鍵技術(shù),基體對增強(qiáng)材料浸潤性

廠家實力
Manufacturer Strength
有效保修
Valid Warranty
質(zhì)量保障
Quality Assurance產(chǎn)品中心
PRODUCT CATEGORY相關(guān)文章
RELATED ARTICLES
詳細(xì)介紹
(2)、增強(qiáng)體SiC與基體鋁浸潤性差的問題:增強(qiáng)材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關(guān)鍵技術(shù),基體對增強(qiáng)材料浸潤性差,有時根本不發(fā)生潤濕現(xiàn)象。該問題主要解決方法:①、加入合金元素,優(yōu)化基體組分,改善基體對增強(qiáng)體的浸潤性,常用的合金元素有:鎂、硅等;②、對增強(qiáng)材料SiC進(jìn)行表面處理,涂敷一層可抑制界面反應(yīng)的涂層,可有效改善其浸潤性,表面涂層涂覆方法較多,如化學(xué)氣相沉積,物***相沉積,溶膠-凝膠和電鍍或化學(xué)鍍等。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于F16-腹鰭及蒙皮。浙江大規(guī)模鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化
在我國工業(yè)和信息化部于2019年印發(fā)的《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019年版)》中,收錄了鋁碳化硅復(fù)合材料,并對相關(guān)性能提出了明確要求:熱導(dǎo)率 W(m·k)室溫≥200抗彎折強(qiáng)度≥300MPa熱膨脹系數(shù) ppm/℃(RT~200℃)<9
杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅相關(guān)產(chǎn)品性能可完全滿足上述要求,并有大幅優(yōu)勢。
我們相信在全球新時代技術(shù)**的浪潮和我國“十四五”戰(zhàn)略規(guī)劃及**裝備改裝升級的背景下,我司生產(chǎn)的質(zhì)量鋁碳化硅產(chǎn)品做為當(dāng)下**有潛力的金屬基陶瓷復(fù)合新材料,在航空航天及***領(lǐng)域、電子封裝、汽車輕量化等領(lǐng)域有著巨大的市場前景。 浙江大規(guī)模鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于微電子的散熱基板中。
除用作慣性器件外,光學(xué)/儀表級鋁基碳化硅還可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等用作反射鏡鏡坯。例如,美國已采用碳化硅顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料制成了超輕空間望遠(yuǎn)鏡的主反射鏡和次反射鏡,主鏡直徑為0.3m。反射鏡面帶有拋光的化學(xué)鍍鎳層,鎳反射層與鋁基復(fù)合材料基材結(jié)合良好、膨脹也十分匹配。在(230-340)K之間進(jìn)行320次循環(huán)后,鎳反射層仍能保持1/10可見光波長的平面度。由于結(jié)構(gòu)的改進(jìn),鋁碳化硅反射鏡比傳統(tǒng)玻璃反射鏡輕50%以上。由于多處采用了新材料。使得整個空間望遠(yuǎn)鏡重量*為4.54kg。
封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種,SiC是其中應(yīng)用**為***的一種,這是因為它具有優(yōu)良的熱性能,用作顆粒磨料技術(shù)成熟,價格相對較低;另一方面,顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性,**有利于實現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小,以及Al合金成分等。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài),可對材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計,從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中,SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要,實際應(yīng)用時,AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸,要求CTE盡可能匹配。高體分鋁碳化硅真空壓力浸滲工藝流程包括:陶瓷多孔預(yù)制件制備、真空壓力浸滲、成型件繼續(xù)加工。
大電流IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在工作時,會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達(dá)到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中,考慮的目標(biāo)是消除熱結(jié)。那么,需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。銅基板具有良好的導(dǎo)熱能力,但銅的熱膨脹系數(shù)接近IGBT芯片的三倍,而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達(dá)50mmx60mm,這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來過渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時在下方接合散熱器的話,焊接的銅基板經(jīng)受不住1000次熱循環(huán),焊接外緣就會出現(xiàn)分層脫離。這種情況下壓接法制造出的模塊,如長期在震動環(huán)境下使用,如軌道機(jī)車、電動汽車、飛機(jī)等,其可靠性會大幅下降。那么,如何牢固封裝高功率IGBT模塊,使其在震動、高溫、粉塵等環(huán)境下可使用呢?業(yè)界的辦法是采用AlSiC材料來制作IGBT基板。杭州陶飛侖是專業(yè)從事金屬陶瓷復(fù)合材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷售一體型新材料公司。浙江大規(guī)模鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化
杭州陶飛侖公司鋁碳化硅相關(guān)方產(chǎn)品主要應(yīng)用于航空、航天、電子、電力等多個行業(yè)。浙江大規(guī)模鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化
鋁碳化硅復(fù)合材料雖然有很多優(yōu)點,但優(yōu)點有時就是缺點,如鋁碳化硅材料抗磨,可做賽車、飛機(jī)的剎車件,但會造成機(jī)加的成本非常高。那么,整體零件一次鑄造成形,就成了鋁碳化硅零件的生產(chǎn)特征之一。另外,因為鋁碳化硅的鑄造環(huán)境相當(dāng)**(普通的鑄造手段是無法把鋁液鑄造進(jìn)陶瓷之中的),那么,通用的精密鑄造模具材料都不可使用,如精密鑄造**常見的陶瓷型殼,放到鋁碳化硅的鑄造環(huán)境下,鋁液會鑄造進(jìn)型殼之中,無法打型出產(chǎn)品。但杭州陶飛侖新材料有限公司采用創(chuàng)新型工藝方法,可有效避免了此類問題的發(fā)生。浙江大規(guī)模鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化
杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件,是一家生產(chǎn)型的公司。公司自成立以來,以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個細(xì)節(jié),公司旗下鋁碳化硅,鋁碳化硼,銅碳化硅,碳化硅陶瓷深受客戶的喜愛。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點競爭力,努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識,遵守行業(yè)規(guī)范,植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。陶飛侖新材料憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來的聲譽(yù)和口碑,讓企業(yè)發(fā)展再上新高。
產(chǎn)品咨詢
相關(guān)產(chǎn)品
Copyright©2025 版權(quán)所有 All Rights Reserved 蘇州百竹傳動設(shè)備有限公司 網(wǎng)站地圖 移動端