現代照明設計要求規定，照明系統中的功率因數必須達到，而氣體放電燈的功率因數在一般在，所以都設計用電容補償功率因數）在國外發達國家，已有明文規定對電氣設備諧波含量的限制，在國內，北京、上海、廣州等大城市，已對諧波含量超標的設備限制并入電網使用。采用可控硅技術對照明系統進行照度控制時，可通過加裝濾波設備來有效降低諧波污染。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。應用介紹------可控硅在調光器中的應用：可控硅調光器是目前舞臺照明、環境照明領域的主流設備。在照明系統中使用的各種調光器實質上就是一個交流調壓器，老式的變壓器和變阻器調光是采用調節電壓或電流的幅度來實現的，如下圖所示。u1是未經調壓的220V交流電的波形，經調壓后的電壓波形為u2，由于其幅度小于u1，使燈光變暗。在這種調光模式中，雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質。與變壓器、電阻器相比，可控硅調光器有著完全不同的調光機理，它是采用相位控制方法來實現調壓或調光的。對于普通反向阻斷型可控硅。淄博正高電氣通過專業的知識和可靠技術為客戶提供服務。聊城交流晶閘管移相調壓模塊配件

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。IGBT和可控硅區別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩的可調的單方向的直流電流。其實現條件主要是依靠整流管。聊城交流晶閘管移相調壓模塊配件淄博正高電氣秉承團結、奮進、創新、務實的精神，誠實守信，厚德載物。

當電容C被充足電后，使三極管V由截止轉為導通狀態，將可控硅SCR關斷，電燈也就熄滅了。本電路關燈延時期間，延時時間由R1、C的取值來確定，讀者也可根據各自需要自行確定。本電路中的可控硅，筆者選用的為單向可控硅，在關燈延時期間電燈的亮度約為開燈時亮度的一半，以適合人們的視覺上的需要，同時又可節能。電路制作：圖中單向可控硅SCR選用MCR100－8，耐壓須為600V以上。燈泡的功率不大于100W為宜。二極管VD為1N4007，V為C1815。電阻均為1／8W碳膜電阻。制作時，用一小塊電路板將圖中虛線框內各元器件焊裝上。好將本電路裝在拉線開關底部凹槽內，用膠水粘牢并將引線接至開關兩接線端即可。8：單鍵自鎖開關單鍵自鎖開關說明1、上電不動作。2、按鈕按下后再釋放，繼電器吸合。3、按鈕長按時，繼電器釋放，松開后繼電器吸合。4、按鈕點按時：繼電器釋放←→吸合循環動作。5、因為47Ω電阻有壓降，繼電器可以用DC9V的。9：簡單的停電自鎖開關電網供電正常時，它象普通開關一樣使用。按一下K1，220V交流電經R1和R2分壓給雙向可控硅提供一觸發電壓，使雙向可控硅導通。可控硅導通后，在電源電壓正半周期間，少量電流經R4、D向C充電，同時經R3、R2分壓觸發可控硅。

可控硅這一晶體管元件，在上個世紀七十年代，就已得到了的應用，主要用于大功率的整流和逆變設備，所承受的電流從一安培到一千安培，耐壓值由一百伏到一千五百伏，二千五百伏，關斷速度快的只有五微秒。它的特點是由較小的電流和較低的電壓去控制較大電流和較高的電壓，實際上他也就是一個無觸點開關。這可控硅實際上就是一只二極管，只不過比二極管多了一個控制極，由控制極控制可控硅的通斷。大功率的可控硅，電流在200安培以上這通常采用強制性冷卻，冷卻的方式有風冷水冷，和油冷，但是由于風冷不那么理想，油冷其費用較高，都不宜采用。因而普遍采用水冷的方式，給可控硅降溫，但對水質的要求比較高，其ph值小于或等于8，否則堿性過高，容易使水的通道結洉，酸度過高容易腐蝕冷卻器材。冷卻跟不上，極容易造成熱量的集中，而造成可控硅工作溫度較高而擊穿。可控硅這種電子元件，它是一個故障性較高的元件。它的主要故障是陰陽極間擊穿，控制極與陽極擊穿，控制即失效，不能控制可控硅的通斷，耐壓值下降，造成軟擊穿現象。我們判斷他的方式，只需一只萬用表，或者九伏以上的直流電源，外加一指示燈。如若可控硅陰陽極擊穿，控制極未加信號，其電阻值就是零。公司實力雄厚，產品質量可靠。

面板上所有發光二極管VD1－VD8均不亮，電風扇不轉。若這時每按動一次風速選擇鍵SB3，可依次從IC的11－13腳輸出控制電平（脈沖信號），經發光管VDl－VD3和限流電阻R2－R4，分別觸發雙向晶閘管VS1－VS3的G極，用以控制它的導通與截止，再經電抗器L進行阻抗變換，即可按強風、中風、弱風、強風……的順序來改變其工作狀態，并且風速指示管VD1－VD3（紅色）對應點亮或熄滅；當按風型選擇鍵SB4，電風扇即按連續風（常風）、陣風（模擬自然風）、連續風……的方式循環改變其工作狀態，在連續風狀態下，風型指示管VD4（黃色）熄滅，在陣風狀態下，VD4閃光；當按動定時時間選擇鍵SB2，定時指示管VD5－VD8依次對應點亮或熄滅，即每按動一次SB2，可選擇其中一種定時時間，共有、l、2、4小時和不定時5種工作方式供選擇。當定時時間一到，IC內部的定時電路停止工作，相應的定時指示管熄滅同時IC的11－13腳也無控制信號輸出，雙向晶閘管VS1－VS3截止，從而導致風扇自動停止運轉；在風扇不定時工作時，欲停止風扇轉動，只要按動一下復位開關SB1，所有指示燈熄滅，電源被切斷，風扇停轉；如欲啟動風扇，照上述方法操作即可。元器件選擇與制作圖中除降壓電容C1用優良的CBB-400V聚苯電容。淄博正高電氣公司地理位置優越，擁有完善的服務體系。聊城交流晶閘管移相調壓模塊配件

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維持繼電器吸合約4秒鐘，故電路動作較為準確。如果將負載換為繼電器，即可控制大電流工作的負載。可控硅是一種新型的半導體器件，它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、動作快以及使用方便等優點，活動導入以可控硅實際應用案例的展示，以激發學生的活動興趣。可控硅控制電路的制作13例1：可調電壓插座電路如圖，可用于調溫（電烙鐵）、調光（燈）、調速（電機），使用時只要把用電器的插頭插入插座即可，十分方便。V1為雙向二極管2CTS，V2為3CTSI雙向可控硅，調節RP可使插座上的電壓發生變化。2：簡易混合調光器根據電學原理可知，電容器接入正弦交流電路中，電壓與電流的大值在相位上相差90°。根據這一原理，把C1和C2串聯聯接，并從中間取出該差為我所用，這比電阻與電容串聯更穩定。電路中，D1和D2分別對電源的正半波及負半波進行整流，并加到A觸發和C1或C2充電。進一步用W來改變觸發時間進行移相，只要調整W的阻值，就可達到改變輸出電壓的目的。D1和D2還起限制觸發極的反相電壓保護雙向可控硅的作用。3：可調速吸塵器這種吸塵器使用可控硅元件構成調速電路，能根據需要控制電機轉速，以發跡管道吸力的大小。聊城交流晶閘管移相調壓模塊配件

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