實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益模式；其中，偏置電路與驅(qū)動放大電路連接，第二偏置電路與功率放大電路連接。其中，如圖7所示，偏置電路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照圖7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡，可以起到隔離輸入信號的作用。第二mos管的寬長比w/l是第六mos管的寬長比的c(c遠大于1)倍，因此第二mos管的漏極偏置電流近似為電流源的c倍，實現(xiàn)了電流放大。電流源存在多個可調(diào)節(jié)檔位，通過微處理器發(fā)出的第三控制信號和第四控制信號，控制電流源檔位的切換，可切換第二mos管的漏極電流，從而調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)。第三mos管t3的柵極電壓偏置電路由電壓源vg、第八電阻r8、第九電阻r9和第十三電容c13按照圖7所示連接而成。第八電阻、第九電阻和第十三電容組成的t型網(wǎng)絡，可起到隔離第三mos管柵極的射頻電壓擺幅的作用。電壓源存在多個可調(diào)節(jié)檔位。傳統(tǒng)線性功率放大器有高的增益和線性度但效率低，而開關型功率放大器有高的效率和輸出功率，但線性度差。河北短波射頻功率放大器檢測技術

    具體地，第二pmos管mp01的源極通過電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接，第三nmos管mn19的源極接地，第三pmos管mp02的源極接電源電壓，第三nmos管mn19的柵極與漏極連接，第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點a，第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點b，連接點a與第二連接點b連接,第二連接點b通過電阻r15接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa，輸出端vbcs_pa用于為功率放大器源放大器的柵極提供偏置電壓。第四nmos管mn20的漏極與第四pmos管mp03的漏極連接后與pmos管mp04的柵極連接，第四nmos管mn20的源極接地，第四pmos管mp03的源極接電源電壓vdd，第四nmos管mn20的柵極和第四pmos管mp03的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。pmos管mp04的漏極通過電阻r17接自適應動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa，第二輸出端vbcg_pa用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓。圖3示出了本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖。河北短波射頻功率放大器檢測技術效率：功率放大器的效率除了取決于晶體管的工作狀態(tài)、電路結(jié)構(gòu)、負載 等因素外，還與輸出匹配電路密切相關。

    令rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計算電阻的電阻值。計算電阻r0的電阻值已知，本申請對于計算電阻r0的電阻值的設置不作限定，計算電阻r0用于計算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請實施例提供的射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖。請參閱圖2，以四個射頻功率放大器并聯(lián)為例，計算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計算電阻201與射頻功率放大器的連接之間設置處理器202。其中，在本申請實施例中，射頻功率放大器211、212、213和214的電阻值分別設為r1、r2、r3和r4，射頻功率放大器211、212、213和214各自的匹配電阻的電阻值分別為r11、r22、r33和r44。在移動終端進行頻段切換前，設所有射頻功率放大器的初始狀態(tài)都是關閉的，即此時射頻功率放大器的電阻值分別為r1、r2、r3和r4。當移動終端進行頻段切換時，需要開啟射頻功率放大器211，則預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)為射頻功率放大器211開啟，射頻功率放大器212、213和214保持關閉。

    橫坐標為輸出功率pout，曲線41對應自適應動態(tài)偏置電路提供給共柵放大器的柵極偏置電壓，曲線42對應自適應動態(tài)偏置電路提供給共源放大器的柵極偏置電壓。圖5示例性地示出了本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器對應的imd3(thirdorderintermodulation，三階互調(diào))曲線圖51，以及現(xiàn)有的射頻功率放大器對應的imd3曲線圖52，根據(jù)曲線51和曲線52，可以看出本申請實施例提供的高線性射頻功率放大器的imd3得到了提高(增幅為△imd3)，橫坐標為輸出功率pout。顯然，上述實施例是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本申請創(chuàng)造的保護范圍之中。射頻功率放大器包括A類、AB類、B類和c類等，開關放大 器包括D類、E類和F類等。

    寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是諧波性能好，可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。在本發(fā)明實施例中，通過增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設計，能夠進一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。本發(fā)明實施例提供了一種射頻功率放大器，參照圖1。在本發(fā)明實施例中，射頻功率放大器可以包括：功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實施率放大單元可以包括兩個輸入端以及兩個輸出端。輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術指標的要求。河北短波射頻功率放大器檢測技術

目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs，GAN和LDMOS工藝。河北短波射頻功率放大器檢測技術

    因為柵長l固定，因此可以通過設計柵寬w得到寄生電阻大小為ron的mos管。寄生電容coff＝fom/ron，fom為半導體工藝商提供的參數(shù)，單位為fs(飛秒)，在寄生電阻ron確定后，可確定寄生電容coff的大小，如此，即可確定可控衰減電路中開關的相關參數(shù)。在一個可能的示例中，可控衰減電路包括電阻、備用電阻rn、電感、開關和備用開關tn，開關的柵級與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號，開關的漏級與備用開關的源級連接，開關的源級接地，備用開關的柵級連接備用電阻的端，備用電阻的第二端連接電壓信號，備用開關的漏級連接電感的端，電感的第二端連接輸入信號；其中，開關和備用開關，用于響應微處理器發(fā)出的控制信號使自身處于關斷狀態(tài)，以使可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負增益模式；還用于響應微處理器發(fā)出的第二控制信號使自身處于導通狀態(tài)，以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益模式；其中，控制信號為具有電壓值的電壓信號，第二控制信號為具有第二電壓值的電壓信號，電壓值與第二電壓值不同。其中，為進一步提高耐壓能力和靜電保護能力，可采用如圖9所示的可控衰減電路，將第二電阻替換成備用開關和備用電阻。河北短波射頻功率放大器檢測技術

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