為確保足夠的導熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請注意一定要仔細檢查和明確所使用濺射頭冷卻壁的平整度，同時確保O型密封圈始終在位置上。由于所使用冷卻水的潔凈程度和設備運行過程中可能會產生的污垢會沉積在陰極冷卻水槽內，所以在安裝靶材時需要對陰極冷卻水槽進行檢查和清理，確保冷卻水循環的順暢和進出水口不會被堵塞。有些陰極設計是與陽極的空隙較小，所以在安裝靶材時需要確保陰極與陽極之間沒有接觸也不能存在導體，否則會產生短路。請參考設備商操作手冊中關于如何正確安裝靶材的相關信息。在收緊靶材夾具時，請先用手轉緊一顆鏍栓，再用手轉緊對角線上的另外一顆鏍栓，如此重復直到安裝上所有鏍栓后，再用工具收緊。金屬化合物的二次電子發射系數比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物。南通MgF2靶材工廠

固定板200的厚度為10mm～15mm。若所述固定板200的厚度過大，使得所述固定板200的重量過大，不便于使用，影響操作的靈活性。若所述固定板200的厚度過小，導致所述固定板200的強度和韌性較差，影響所述靶材拋光裝置100的使用壽命。所述拋光片300表面與靶材側壁表面及經圓角處理的側棱相匹配。所述拋光片300表面具有磨砂顆粒，用于增加所述拋光片300與靶材表面間的摩擦力，以提高拋光效率。拋光片300包括拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330。所述拋光片部分310設置于所述頂板210的底部。所述拋光片第二部分320設置于所述頂板210與所述側板220的拐角處，且在所述拋光片部分310及拋光片第三部分330間平滑的過渡。所述拋光片第三部分330設置于所述側板220的內側面上，所述拋光片第三部分330表面與拋光片部分310表面垂直。南通MgF2靶材工廠濺射出靶材的原子、原子團、離子、電子、光子等，原子、離子、原子團沉積到基材上形成薄膜。

防護層為彈性材料，所述防護層的質地軟，能夠在所述固定板及靶材間提供緩沖，避免所述固定板觸撞靶材導致靶材受損。具體實施方式：為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。一種靶材拋光裝置100，包括：固定板200，所述固定板200包括頂板210和位于所述頂板210一側的側板220；拋光片300，位于所述固定板200內側面上，其中位于固定板200彎折處的拋光片300呈弧狀。固定板200能夠起到支架的作用，以固定支撐所述拋光片300，便于操作人員使用所述靶材拋光裝置100。頂板210呈矩形狀，所述側板220也呈矩形狀。固定板200內側面彎折處形成夾角。具體的，所述側板220表面垂直于所述頂板210表面，即所述夾角為90°。在其他實施例中，所述夾角還可以大于90°且小于180°。

靶材拋光裝置100還包括：把手，所述把手設置于所述固定板200的外表面上。為便于操作人員雙手抓握，所述把手的數量為兩個，其中一個所述把手設置于所述固定板200的頂部，另一個所述把手設置于所述固定板200的側壁上，該設置方式有利于提高操作人員手持所述靶材拋光裝置100進行拋光作業的便捷性。本實施例中，兩個所述把手分別為把手510和第二把手520，所述把手510設置于所述頂板210上，所述第二把手520設置于所述側板220上。本實施例中，所述把手510包括桿狀部511和第二桿狀部512，所述桿狀部511的一端連接所述頂板210，另一端連接所述第二桿狀部512。所述桿狀部511延伸方向與所述頂板210表面相垂直，所述第二桿狀部512延伸方向與所述頂板210表面相平行。所述把手510的結構有利于操作人員牢固的抓握所述把手510，防止從所述把手510上滑脫。

通常是放熱反應，反應生成熱必須有傳導出去的途徑，否則，該化學反應無法繼續進行。

真空技術中的清潔處理 (一)概述    真空技術清潔處理一般指的是真空裝置的結構材料、填裝材料和真空零(部)件的清潔處理。去除或減少污染物將有利于獲得良好真空，增加連接強度和氣密性，提高產品的壽命 和可靠性。 (二)污染物的幾種類型 ①油脂:加工、安裝和操作時沾染的潤滑劑、真空油脂等; ②水滴:操作時的手汗，吹玻璃時的唾液等; ③表面氧化物:易氧化材料長期基露或放置在潮濕大氣中所形成的表面氧化物; ④酸、堿、鹽類物質:清洗后的殘余物質、手汗、自來水中的礦物質等; ⑤空氣中的塵埃及其它有機物。 (三)污染的形成及其影響 真空裝置由許多不同的零件組成，它們都是經過各種機械加工完成的，如車、銑、刨、磨、銼、焊接等。這樣，零件表面不可避免地會沾上許多加工油脂、汗痕、拋光膏、焊劑、金屬屑、油垢等污染物。這些污染物在真空中易揮發，影響真空設備的極限真空。此外，污染物在大氣壓下吸附了大量的氣體，在真空環境中，這些氣體也要被釋放出來。構成了限制真空設備極限真空的因素。為此，零件組裝前必須掉污染物。厚度適中：3mm左右，太厚，消耗部分磁強；太薄，容易變形。南通MgF2靶材工廠

不拋光去除表面變質部分，沉積到基材上的膜層性質就是表面變質的雜質。南通MgF2靶材工廠

靶材磁控濺射的原理是什么？磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，濺射靶材在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更大，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還司進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。南通MgF2靶材工廠

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業生產濺射靶材和蒸發材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發機構合作，整合各行業資源優勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l展理念。